收藏本站
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S9100HR3 MRF8S9100HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 6. EVM versus Frequency
f, FREQUENCY (MHz)
Pout=64WAvg.
14 W Avg.
EVM, ERROR VECTOR MAGNITUDE (% rms)
0
6
3
1
4
2
45 W Avg.
-- 4 0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 7. Spectral Regrowth at 400 kHz
versus Output Power
-- 4 5
-- 5 0
-- 5 5
SPECTRAL REGROWTH @ 400 kHz (dBc)
-- 6 0
-- 6 5
-- 7 0
0
-- 8 0
-- 5 0
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
-- 6 0
-- 6 5
-- 7 0
10
Figure 8. Spectral Regrowth at 600 kHz
versus Output Power
SPECTRAL REGROWTH @ 600 kHz (dBc)
20 10030 40 50
60 70 80 90
-- 7 5
-- 5 5
5
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
100
4
10
8
6
0
10
1
2
920 MHz
15
75
45
30
0
Figure 9. EVM and Drain Efficiency versus
Output Power
EVM, ERROR VECTOR MAGNITUDE (% rms)
EVM
60
ηD
η
D,
DRAIN EFFICIENCY (%)
Figure 10. Broadband Frequency Response
-- 1 5
25
500
f, FREQUENCY (MHz)
VDD
=28Vdc
Pin
=0dBm
IDQ
= 500 mA
15
10
5
600
GAIN (dB)
Gain
700 800 900 1100 12001000
IRL
-- 2 5
15
10
-- 5
-- 1 5
IRL (dB)
800 940 960 980820 840 860 880 900 920 1000
VDD
=28Vdc,IDQ
= 700 mA
EDGE Modulation
VDD
=28Vdc,IDQ
= 700 mA
EDGE Modulation
f = 960 MHz
920 MHz
940 MHz
VDD
=28Vdc,IDQ
= 700 mA
EDGE Modulation
f = 960 MHz
920 MHz
940 MHz
VDD
=28Vdc,IDQ
= 700 mA
EDGE Modulation
f = 960 MHz
920 MHz
940 MHz
960 MHz
940 MHz
20
0
-- 5
-- 1 0
5
0
-- 1 0
-- 2 0
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
MRF8S9120NR3 FET RF N-CH 900MHZ QM780-2
MRF8S9170NR3 FET RF N-CH 900MHZ 28V OM780-2
MRF8S9200NR3 MOSFET RF N-CH 58W OM780-2
MRF8S9220HSR3 FET RF N-CH 900MHZ 28V NI780S
MRF8S9260HSR3 FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-880HS
MRF9002NR2 MOSFET RF N-CHAN 26V 2W 16-PFP
MRF9030NBR1 IC MOSFET RF N-CHAN TO272-2
MRF9045LR1 IC MOSFET RF N-CHAN NI-360
相关代理商/技术参数
MRF8S9102NR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 50W OM780-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S9120NR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 120W OM780-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S9170NR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHz 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S9170NR3_10 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET
MRF8S9200NR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHz 58W OM780-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S9200NR3_10 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET
MRF8S9202GNR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHz 58W OM780-2G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S9202N 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET
    • 我
    • 采购
    • 搜索
    • 会员